|
|
|
ГОСТ 20859.1-89
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Статус: действующий
Издание: 07.07.1989
Введение: 01.01.1990
Актуализация текста: 06.04.2015
Актуализация описания: 06.04.2015
Последние изменение: 16.01.2015
Окончания срока действия: 01.01.1970
Взамен: ГОСТ 20859.1-79
Заменен в части: ГОСТ 30617-98 в части модулей
 Скачать ГОСТ 20859.1-89
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
|
